我们知道有不同类型的材料携带电即Cu、Al、Ge、Si等。这些材料被称为半导体在一些电子设备中使用。这些半导体材料是电的良导体&它们包括良好的导电性。这些材料有一个轻微的禁带1eV &电子从一个带转移到另一个带，就像帷幔传导。PN结二极管的形成可以采用两种材料的制备方法p型和n型。该二极管可以用硅材料制成，以便被称为硅二极管。本文讨论了峰值逆电压（PIV）的概述。
当PN结二极管在不损害自身的情况下，能够抵抗反向电压的最大值称为PIV(峰值反向电压)。PIV的等级根据制造商的不同而不同。但是，如果反向偏置条件下pn结的电压提高超过这个特定值，则会导致结破裂。
它也可以定义为当一个二极管在反向偏置的情况下，在损坏之前抵抗最高电压。在上图中，一个PN结用作整流器，其主要功能是将交流转换为直流。因此，在负半周期，必须注意，因为交流电压的最大值必须低于二极管的额定PIV值。
术语PIV代表“峰值逆电压”，并且一旦它是非导通的，它就会出现在PN结二极管上的最大电压。当二极管反向偏置时，当它在反向偏置的电路中连接到二极管中的端子上的最大电压是不进行的。
每个二极管都具有基于制造商的特定PIV值。反向偏置的电压必须击败此PIV，否则二极管会损坏。通常，与GE（锗）二极管相比，Si（硅）二极管的最高额定PIV更多。二极管可以在反向非导电区域内抵抗二极管的最大峰值电压被称为PIV。因此，到达该最大电压，二极管可以阻挡相反方向内的电流的导通，因为二极管是单向装置。
如果二极管的电压高于PIV, PIV适用于PN结二极管，那么它通过雪崩击穿。因此，势垒会损坏&一个高脉冲电流将供应整个相反的方向。这种高电流会损坏二极管和器件。因此，电压应提高PIV，这样器件才能得到保护。
为了峰值反电压计算，可以考虑以下电路。可以在二极管的反向偏压中完成用于SI二极管的PIV的计算。在下面的电路中，有两个二极管即d1＆d2。这里，二极管的“D2”在反向偏见中连接，因此变压器的次级绕组完全电压将掉落。
这里，假设D1二极管的电压降为零。D1二极管以转发偏置连接，而D2以反向偏置连接。因此，PIV是逆电压的波峰值，其中二极管连接到变压器的次级绕组。在电路中，让点A＆B是GND终端的-ESM＆+ ESM。可以忽略D1上的电压降。
因此，D2二极管两端的反向电压的波峰值是“2esm”
二极管的PIV是2Esm = π E at DC | Idc =0
在这里，Esm是交流电压的最大值横跨一半的次级绕组2021 欧洲杯投注网址 。
如果假定二极管上的电压降，则可以给出反向偏置二极管的峰值逆电压，如图所示，
PIV = 2Esm - 0。7
由于一次只能有一个二极管导通，所以使用了上面提到的二极管的峰值反电压公式。 半波整流器中的PIV
为了得到峰值反向电压的一个基本概念，我们必须关注电压，出现在整个终端的半导体二极管一旦反向偏压。在这里，二极管被替换为一个开放的开关，如下所示。
由上述电路，我们可以看到，二极管反向偏置连接时，二极管两端出现的电压相当于“VmSinωt”，即交流电源电压的-Ve半周。这是正弦形式。
当正弦交流电源的峰值值为“Vm”时，二极管上的最高电压是反向偏置，也可以等同于“Vm”。因此，HWR（半波整流器）中的半导体二极管的PIV等于电压供应的峰值值。 桥式整流器的PIV
全波的电路图桥式整流器如下所示。在该电路中，短路了两个二极管。由于整个电压的+ vE半周期，所以对角相反的两个二极管可以传导它们被短路。我们可以观察到，横跨两个二极管的电压可以相当于电压供应，并且它们反向偏置。
因此，在每个非导电二极管偏置的最大反转的电压可以等于电压电源电压的CREST值。因此，桥式整流器内的二极管的PIV可以等同于电压供应的峰值值。
因此，整流器中二极管的PIV就像一个半波，桥式和中心抽头FWR是Vm，相应的Vm是电压供应的峰值。
因此，这就是一切峰值反向电压的概述或半导体二极管，桥式整流器和半波整流器的PIV。这是一个问题的问题，整流电路的PIV等级是什么？
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